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1961期刊缩写：
IEEE Electron Device Lett.
影响因子：
4.1
ISSN：
print: 0741-3106
研究领域：
工程技术-工程：电子与电气
创刊年份：
1980年
h-index：
135
自引率：
10.20%
Gold OA文章占比：
4.62%
原创研究文献占比：
100.00%
SCI收录类型：
Science Citation Index Expanded (SCIE) || Scopus (CiteScore)
期刊介绍英文：
IEEE Electron Device Letters publishes original and significant contributions relating to the theory, modeling, design, performance and reliability of electron and ion integrated circuit devices and interconnects, involving insulators, metals, organic materials, micro-plasmas, semiconductors, quantum-effect structures, vacuum devices, and emerging materials with applications in bioelectronics, biomedical electronics, computation, communications, displays, microelectromechanics, imaging, micro-actuators, nanoelectronics, optoelectronics, photovoltaics, power ICs and micro-sensors.
CiteScore：
| CiteScore | SJR | SNIP | CiteScore排名 |
|---|---|---|---|
| 8.2 | 1.250 | 1.500 | 学科 排名 百分位 大类：Engineering 小类：Electrical and Electronic Engineering 128 / 797 84% 大类：Materials Science 小类：Electronic, Optical and Magnetic Materials 51 / 284 82% |
发文信息
中科院SCI期刊分区
| 大类 | 小类 | TOP期刊 | 综述期刊 |
|---|---|---|---|
| 2区 工程技术 |
2区
工程：电子与电气
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
|
否 | 否 |
WOS期刊分区
| 学科分类 |
|---|
Q2ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC |
历年影响因子
| 2015年 | 2.5280 |
|---|---|
| 2016年 | 3.0480 |
| 2017年 | 3.4330 |
| 2018年 | 3.7530 |
| 2019年 | 4.2210 |
| 2020年 | 4.1870 |
| 2021年 | 4.8160 |
| 2022年 | 4.9000 |
| 2023年 | 4.1000 |
历年发表
| 2012年 | 670 |
|---|---|
| 2013年 | 601 |
| 2014年 | 512 |
| 2015年 | 513 |
| 2016年 | 565 |
| 2017年 | 595 |
| 2018年 | 585 |
| 2019年 | 577 |
| 2020年 | 547 |
| 2021年 | 597 |
| 2022年 | 551 |
投稿信息
出版周期：
Monthly
出版语言：
English
出版国家(地区)：
UNITED STATES
接受率：
100%
审稿时长：
1.4 months
论文处理费：
￥640
出版商：
Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
编辑部地址：
IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141
IEEE Electron Device Letters - 最新文献
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