IEEE Transactions on Electron Devices

SCI期刊
IEEE Transactions on Electron Devices
期刊缩写:
IEEE Trans. Electron Devices
影响因子:
2.9
ISSN:
print: 0018-9383
研究领域:
工程技术-工程:电子与电气
h-index:
165
自引率:
16.10%
Gold OA文章占比:
6.38%
原创研究文献占比:
99.36%
SCI收录类型:
Science Citation Index Expanded (SCIE) || Scopus (CiteScore)
期刊介绍英文:
IEEE Transactions on Electron Devices publishes original and significant contributions relating to the theory, modeling, design, performance and reliability of electron and ion integrated circuit devices and interconnects, involving insulators, metals, organic materials, micro-plasmas, semiconductors, quantum-effect structures, vacuum devices, and emerging materials with applications in bioelectronics, biomedical electronics, computation, communications, displays, microelectromechanics, imaging, micro-actuators, nanoelectronics, optoelectronics, photovoltaics, power ICs and micro-sensors. Tutorial and review papers on these subjects are also published and occasional special issues appear to present a collection of papers which treat particular areas in more depth and breadth.
CiteScore:
CiteScoreSJRSNIPCiteScore排名
5.80.7851.223
学科
排名
百分位
大类:Engineering
小类:Electrical and Electronic Engineering
221 / 797
72%
大类:Materials Science
小类:Electronic, Optical and Magnetic Materials
82 / 284
71%
发文信息
中科院SCI期刊分区
大类 小类 TOP期刊 综述期刊
2区 工程技术
2区 物理:应用 PHYSICS, APPLIED
3区 工程:电子与电气 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
WOS期刊分区
学科分类
Q2ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
Q2PHYSICS, APPLIED
历年影响因子
2015年2.2070
2016年2.6050
2017年2.6200
2018年2.7040
2019年2.9130
2020年2.9170
2021年3.2210
2022年3.1000
2023年2.9000
历年发表
2012年617
2013年723
2014年727
2015年719
2016年933
2017年961
2018年884
2019年912
2020年994
2021年1183
2022年937
投稿信息
出版周期:
Monthly
出版语言:
English
出版国家(地区):
UNITED STATES
接受率:
100%
审稿时长:
3.8 months
论文处理费:
¥2804
出版商:
Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
编辑部地址:
IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141

IEEE Transactions on Electron Devices - 最新文献

High-Temperature Retention Stability of Multibit Ferroelectric HfZrO$_{text{2}}$ FinFET With SiGe/Si Superlattice Channel for Enhanced Speed and Memory Window

Pub Date : 2024-09-12 DOI: 10.1109/ted.2024.3434772 Yi-Ju Yao, Tsai-Jung Lin, Chen-You Wei, Bo-Xu Chen, Yung-Teng Fang, Heng-Jia Chang, Yu-Min Fu, Guang-Li Luo, Fu-Ju Hou, Yung-Chun Wu

Diamond-on-Si IGBT With Ultrahigh Breakdown Voltage and On-State Current

Pub Date : 2024-09-12 DOI: 10.1109/ted.2024.3450436 Zhi Jiang, Enpu Wang, Jun Ying, Chengchang Zhang, Jiajia Du, Guangyu Wang, Yu Pang

Enhanced Packaging for Reliability Improvement of P1.2 Mini-LED Emissive Displays in High Temperature and Humidity

Pub Date : 2024-09-12 DOI: 10.1109/ted.2024.3440273 Ji Li, Duokai Zhao, Guozhong Wang, Yongchao Zhao, Jie Chen, Yongming Yin, Hong Meng
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