Reactor wall effects in Si–Cl2–Ar atomic layer etching

已完结 10 由居鸭发布于 2024/12/18 15:20:05

DOI:10.1116/6.0003651
作者：Joseph R. Vella, M. A. I. Elgarhy, Qinzhen Hao, Vincent M. Donnelly, David B. Graves
文献类型：期刊论文
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Abstract：This work complements our previous manuscript [J. Vac. Sci. Technol. A41, 062602 (2023)] where predictions from molecular dynamics (MD) simulations of silicon–chlorine–argon (Si–Cl2–Ar) atom

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8小时前

太白伊丽莎白

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