五院院士，再发Nature！

随着自旋电子学的发展，反铁磁材料因其在高密度和超快信息设备中的潜力而受到关注。本研究由马克斯·普朗克微结构物理研究所的Yuliang Chen和Stuart S. P. Parkin等人合作，提出了一种通过扭曲二维反铁磁材料CrSBr双层来构建全反铁磁性隧道结的策略。研究显示，通过这种扭曲策略，在零场下实现了超过700%的非易失性隧道磁阻比率，且对温度的依赖性显著减弱。这一发现不仅解决了反铁磁材料在自旋电子器件中应用的磁滞损耗问题，还推动了非易失性磁信息存储器件的发展至原子薄极限，为高密度、超快数据存储技术的发展提供了新的思路。