HfO2 之铁电奋斗历程 | Ising专栏

本文探讨了HfO2在铁电物理中的应用及其发展历程。背景方面，铁电物理曾因与能带理论不兼容而受到固体物理的冷落，但在1990年代，随着非易失铁电存储器和高介电栅极材料的发展，铁电物理开始与现代半导体微电子学集成融合。研究目的在于理解HfO2如何成为一种重要的铁电材料，并探讨其在高介电栅极材料中的应用。结论指出，HfO2因其与Si基半导体集成的能力和潜在的铁电性质，成为研究热点。特别是，通过脉冲电场处理，HfO2薄膜可以在较低温度下实现铁电相的晶化，这一发现为铁电存储器和高介电栅极材料的应用开辟了新的可能性。