北理工沈国震/王卓然团队: 任意基底微米级图案化生长 AgBiS₂ 材料

RSC英国皇家化学会 2024-04-21 08:10
文章摘要
研究背景纳米结构的微加工与图案化技术是半导体微电子器件发展的重要动力。现阶段半导体的微纳图案化主要采用“自上而下”刻蚀工艺实现。该方法将不可避免地引入表面污染,尤其对于具有较高表面活性的低维半导体材料
北理工沈国震/王卓然团队: 任意基底微米级图案化生长 AgBiS₂ 材料
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