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本文系统梳理了分数量子Chern绝缘体（FCIs）和分数量子反常霍尔效应（FQAHE）在莫尔材料中的研究进展。背景方面，FCIs是一种在无外磁场晶格系统中实现分数化电子态的强关联拓扑相，其核心特征是不需要外磁场即可产生分数量子反常霍尔效应，承载分数电荷的任意子准粒子。研究目的方面，文章从理论视角阐明FCIs的物理机制，并重点介绍了两类互补的实验平台：扭曲MoTe₂和菱面体多层石墨烯/六方氮化硼（hBN）莫尔超晶格。结论方面，在扭曲MoTe₂中，通过光学测量（如磁圆二色性、光致发光）和输运实验（欧姆接触改进）观测到了ν=1、2/3、3/5等填充处的FQAHE特征；在菱面体多层石墨烯/hBN系统中，利用多维可调谐性（位移场、面内磁场等）实现了FCI态的稳定与调控，并发现了分数态向扩展量子反常霍尔效应的转变。文章最后展望了探索偶分母FCI、任意子统计和非阿贝尔拓扑序等未来方向。