第一性原理计算重构半导体器件TID效应理论基石！

背景：在深空探测、核工业等极端应用场景中，半导体器件的总电离剂量效应严重威胁电子系统可靠性，传统基于实验推断的模型无法解释缺陷浓度对温度的依赖性，理论与实验存在偏差。研究目的：揭示缺陷的微观形成机制，为TID效应研究提供新理论基石。结论：研究团队提出缺陷形成的“非辐射载流子俘获-结构弛豫”机制和分数幂律动力学模型，自洽解释了缺陷浓度的温度依赖性，其预测与实验数据高度契合，实现了该领域从“不能解释”到“可以预测”的关键跨越，并对极端环境下半导体器件的可靠性评估与设计产生深远影响。