湖南大学段曦东教授团队：二维电子器件电介质 | Nature Electronics

本文介绍了二维半导体在突破硅基极限方面的潜力，并指出实现高质量电介质集成是其微型化与高性能化的关键挑战。针对传统方法易引入缺陷、界面相容性差的问题，湖南大学段曦东教授团队提出了一种范德华外延生长策略，在二维半导体表面直接定向生长出单晶Sb₂O₃电介质薄膜。该薄膜表现出优异的介电性能、低界面陷阱密度和高击穿场强。基于此构建的顶栅场效应晶体管具有极低的亚阈值摆幅、高开关比和低栅漏电流，且晶体管阵列成品率高，互补逻辑反相器性能良好，验证了该技术的可扩展性，为高性能二维电子器件的发展提供了新方案。