研究进展：高温-III族氮化物，高电子迁移率晶体管 | Nature Electronics
今日新材料
2026-03-01 11:30
文章摘要
本文是一篇关于III族氮化物高电子迁移率晶体管高温工作特性的综述。背景方面，III族氮化物HEMT在电力电子、通信、航空航天等高温应用领域具有重要潜力。研究目的上，文章旨在系统分析此类晶体管的高温工作特性，探讨温度对材料、器件及电路行为的影响机制，并评估其在逻辑、射频及电力电子应用中的热稳定性。结论指出，通过势垒层与沟道层工程、衬底选择及钝化等策略可缓解高温效应，但面向高温应用的器件设计与优化仍面临核心挑战。
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