创纪录！北京大学彭练矛院士/邱晨光研究员Science子刊 | 0.6V超低电压铁电晶体管！

背景：铁电场效应晶体管（FeFET）作为一种非易失性存储器技术，其实际工作电压往往远高于铁电材料的矫顽电压，导致与逻辑芯片的供电电压不匹配，尤其在亚1纳米节点技术中成为重大挑战。研究目的：北京大学团队旨在通过创新器件结构，显著降低FeFET的工作电压，以实现与逻辑核心的直接兼容。结论：该研究成功制备了栅长1纳米的二硫化钼纳米栅FeFET，实现了0.6V的超低工作电压，低于先进逻辑晶体管的0.7V，通过纳米尖端电场增强和电容耦合双重机制，突破了铁电材料本征矫顽电压限制，展现出高开关比、快速编程和优异稳定性，为铁电电子学在亚1纳米节点的发展提供了关键解决方案。