研究前沿：量子芯片-自旋量子比特 | Nature Electronics

背景：将半导体自旋量子比特大规模集成到量子处理器中，需要对其量子组件进行规模化表征，但传统表征方法在极低温和磁场环境下极具挑战。研究目的：为了应对这一挑战，研究团队开发了一种名为QARPET的可扩展架构，利用量子点交叉阵列来表征自旋量子比特。结论：该研究在平面锗材料中实现了一个包含紧密排布自旋量子比特单元的交叉阵列，理论上可容纳1058个单空穴自旋量子比特。通过对40个单元子集的实验测量，在毫开尔文温度下成功演示了单元寻址、阈值电压与电荷噪声统计、以及空穴自旋量子比特及其相干时间的表征，为半导体自旋量子比特的规模化测试提供了重要平台。