二维材料，Nature Materials！

本文研究背景是二维过渡金属硫族化合物（TMDs）因其优异性能在微电子和量子器件领域潜力巨大，但现有合成方法难以实现高产率单层控制、原子级精确Janus结构制备及清洁异质结界面集成。研究目的是开发一种纳米局域化学气相沉积方法，利用石墨烯或六方氮化硼作为范德华盖层，引导TMDs生长动力学，以解决上述合成难题。研究结论表明，该方法成功实现了单层TMDs的高产率（如NbSe2单层产率提升至98%）、原子级精确的Janus MoSSe单层合成，以及超洁净范德华界面的同步构建；生长的NbSe2单层展现出高达2.8 K的超导转变温度和优异的空气稳定性，为先进二维电子学和量子计算应用提供了多功能材料合成平台。