浙江大学綦殿禹AEM综述：迈向亚10纳米通道二维场效应晶体管的纳米制造技术

背景：随着人工智能和计算需求的增长，晶体管尺寸不断缩小，但硅基技术在亚10纳米节点面临严重的短沟道效应，导致性能退化。二维材料因其原子级薄度和无悬挂键表面，为抑制短沟道效应提供了新方案。研究目的：浙江大学綦殿禹团队综述了二维场效应晶体管在亚10纳米通道的未来制造方向，旨在开发低成本、高效、适合大规模生产的技术。结论：文章重点介绍了边缘光刻、机械开裂、后期修整和自对准隔离等有前景的纳米制造技术，这些技术有望突破现有生产瓶颈，推动二维半导体技术的产业化应用，但当前仍面临高成本、低产率等挑战，需要进一步优化以实现大规模生产。