研究前沿:忆阻器,碲化锗GeTe相变材料 | Nature Materials

今日新材料 2026-01-31 11:30
文章摘要
背景:忆阻器中的电阻噪声通常被简化为热激活过程,但该模型未能充分反映原子动力学的复杂性,其真实过程涉及高维自由能势能面中的多态跃迁。研究目的:德国明斯特大学的研究团队旨在通过分析纳米尺度碲化锗相变材料的电阻涨落,定量表征其离散电阻态间的跃迁动力学,并揭示自由能垒中的熵贡献。结论:研究采用隐马尔可夫模型,在宽温度范围内测量电阻波动,发现跃迁速率符合类阿伦尼乌斯行为,但提取的尝试频率分布极广,包含远低于典型声子频率的值,这直接反映了自由能垒中存在显著的熵贡献。该方法为理解忆阻材料的电阻变化机制提供了新视角。
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