研究透视：北京大学彭海琳课题组，晶圆级二维铁电材料α-Bi\u2082SeO\u2085 | Science

背景：铁电材料在非易失性存储器和下一代电子器件中潜力巨大，但传统铁电氧化物薄膜在微缩时面临结构不均匀、界面去极化等问题。研究目的：北京大学彭海琳教授团队旨在开发晶圆级均匀的超薄范德瓦尔斯铁电氧化物Bi₂SeO₅，并将其与二维半导体集成，以构建高性能铁电场效应晶体管。结论：该研究成功合成了晶圆级超薄Bi₂SeO₅铁电薄膜，单层厚度下仍保持强铁电性。基于此材料制备的铁电场效应晶体管阵列展现出低工作电压、高循环耐久性、快速写入速度、高开关比、长数据保持能力和超低能耗等优异性能，并实现了亚1伏可重构存内逻辑电路，为先进电子器件的发展提供了新途径。