中国科学院物理研究所，Science！

本研究背景聚焦于铁电畴壁作为纳米电子学核心组件，传统上呈二维特征，而将其限制至一维可提升器件集成密度并催生新功能。研究目的是在铁电ZrO₂中实现并观测原子级一维带电畴壁，探究其稳定机制与电场操纵特性。结论表明，团队首次在ZrO₂极性层中直接观测到宽度和厚度均为原子级的一维头对头和尾对尾带电畴壁，揭示了通过自平衡氧占据实现电荷屏蔽的独特机制，并演示了电场驱动下畴壁运动与氧离子输运的微观耦合，这为超高密度存储和新型离子-电子器件提供了物理基础。