复旦大学，Nature Materials！

背景：二维半导体因其原子级厚度和优异的静电控制能力，被视为后摩尔时代集成电路的关键材料，但其工业化面临接触工程协同优化难和边缘界面缺陷控制挑战。研究目的：复旦大学研究团队旨在通过开发原位多步工艺，解决二维半导体边缘接触的缺陷问题，实现高性能晶体管并构建先进的存储器件。结论：该研究成功制备了基于二硫化钼的边缘接触场效应晶体管，表现出超低漏电流和高开态电流；基于此构建的无电容双晶体管动态随机存取存储器实现了准非易失性存储操作、高存储精度和纳秒级写入速度，为克服“存储墙”挑战提供了有潜力的技术方案。