研究进展：硒化铟材料-低功耗计算器件 | Nature Reviews Electrical Engineering

本文是一篇发表于《Nature Reviews Electrical Engineering》的评述文章，背景是硅基计算技术正逼近物理极限，亟需寻找替代材料。研究目的是系统评述范德华硒化铟材料（InSe与In₂Se₃）作为下一代低功耗电子器件候选材料的潜力。文章指出，硒化铟具有高电子迁移率、可调带隙和独特的相依赖铁电特性，能同时实现高性能逻辑与非易失性存储功能。结论认为，通过分析弹道晶体管和铁电存储器等器件的研究突破，硒化铟有望超越硅基性能，但需优先攻克可控制备、相态调控等挑战，从而为商业化低功耗计算技术提供路线图。