施毅院士领衔！南京大学王欣然/李卫胜团队：二维半导体-锑晶体接触 | Nature Electronics

背景：随着集成电路制程节点持续微缩，硅基器件已接近物理极限，二维半导体因其原子级厚度和优异的微缩潜力，被视为后摩尔时代的关键材料。然而，在亚20纳米接触长度下，二维半导体晶体管面临接触电阻急剧上升的瓶颈。研究目的：南京大学王欣然、李卫胜团队旨在开发一种新型接触技术，以解决二维半导体在先进制程节点下的欧姆接触难题，满足1纳米节点对接触长度和电阻的严苛要求。结论：团队创新性地采用分子束外延技术，在二硫化钼上制备了高纯度、大晶畴的锑晶体接触，首次在18纳米接触长度下实现了低于100 Ω·μm的接触电阻，并成功研制出接触栅间距小于40纳米的高性能晶体管，其关键性能指标达到1纳米节点要求，展示了二维半导体在埃米时代集成电路中的应用潜力。