研究前沿：香港理工大学柴扬团队，二维半导体-硒接触 | Nature Nanotechnology

背景：在二维半导体器件中，实现低电阻接触是关键挑战，尤其是p型二维半导体，传统半金属如铋虽在n型半导体中取得进展，但在p型中仍难以实现超低接触电阻。研究目的：香港理工大学柴扬团队旨在通过引入超薄硒界面层，构建能带杂化的半金属接触，以抑制金属诱导带隙态，降低p型半导体的接触电阻。结论：该研究成功将硒层与金电极结合，诱发能带杂化，使接触界面呈现半金属特性，应用于p型WSe2晶体管后，接触电阻降至540 Ω μm，沟道长度80 nm时饱和开态电流密度达430 μA μm−1，该方法具有普适性，可推广至黑磷、碳纳米管等p型半导体，为纳米级器件提供了可靠技术路径。