研究进展：碳纳米管，介质波导-太赫兹吸波 | Nature Communications

背景：太赫兹波在通信和成像领域应用前景广阔，但实现高密度集成电路面临挑战，关键之一是需要能有效吸收波导能量且不产生反射干扰的终端结构。研究目的：开发一种用于太赫兹介质波导的紧凑型宽带终端，以解决密集集成中的电磁干扰问题。结论：研究团队通过在硅介质波导表面涂覆超薄单壁碳纳米管薄膜，成功制备出一种高性能吸收器。该薄膜在140-220GHz频段内能引入高达47dB的衰减，同时保持超过20dB的反射损耗，实现了几乎无反射的吸收，其比屏蔽效率创下纪录。这种方法为高密度太赫兹电路提供了一种面积高效、无需庞大辐射式终端的解决方案。