研究前沿：北京科技大学，胶体量子阱-发光二极管LED | Nature Communications

背景：胶体量子阱作为发光材料，其薄膜内量子阱的排列方式（特别是水平取向比例）直接影响发光二极管的光提取效率和器件性能，但实现高比例水平取向的可扩展薄膜制造仍具挑战。研究目的：北京科技大学等单位的研究团队旨在开发一种新方法，制备具有主导性水平偶极取向的致密胶体量子阱薄膜，以提升电致发光二极管的效率和稳定性。结论：研究团队采用CdSe/CdZnS梯度合金胶体量子阱，通过两相驱动平面排列策略结合Langmuir–Schaefer技术，成功制备出水平偶极取向比例达90%的致密薄膜，实现了35.8%的光提取效率。基于此薄膜的发光二极管器件表现出高外部量子效率（25.5%）、高亮度（59,620 cd m⁻²）和优异操作稳定性（T₉₅ > 16,233小时）。该技术还可扩展至大面积（100 cm²）均匀薄膜制造，展示了工业应用潜力。