Light | 单相网络结构中 RGB OLED 发射层的微米级间接光刻图案化技术

研究背景：有机发光二极管（OLED）在虚拟现实和增强现实显示中需要微米级红绿蓝像素图案，但传统蒸发和掩膜图案化方法受限于掩膜几何特性，难以实现高分辨率图案。研究目的：提出一种无需直接紫外照射或刻蚀的溶液法制备OLED发射层的间接光刻图案化技术，以形成微米级RGB像素图案并解决传统方法的局限性。结论：该技术通过牺牲层光刻胶保护和低温交联，成功制备出密度超过每英寸3000个的RGB图案，OLED的光致发光和电致发光特性符合全彩显示需求，且图案化器件性能稳定，具有工业化应用潜力，未来可优化发光体核心并探索柔性显示应用。