研究进展：六方氮化硼hBN-自旋缺陷 | Nature Physics

本研究聚焦六方氮化硼中自旋缺陷的微观结构与自旋响应机制。背景方面，六方氮化硼中的自旋缺陷发射体在量子传感等领域具有应用潜力，但长期面临微观结构识别困难的问题。研究目的旨在通过建立光学可寻址自旋对模型，阐明该类缺陷的自旋响应物理来源。研究团队提出由两个相邻碳取代点缺陷构成的光学-自旋缺陷对模型，其中一个缺陷具有光学活性，另一个参与自旋选择性电荷转移。结论表明，该模型成功解释了宽波长范围内的光探测磁共振行为，并通过第一性原理计算验证了碳缺陷对的可行性，同时预测该机制在其它宽带隙半导体中具有普适性。