研究透视：张跃院士领衔！北京科技大学张铮/张先坤，二维半导体 | Science

背景：二维半导体与金属之间的范德华接触由于能带耦合弱和键合强度低，一直无法达到工业应用标准。研究目的：北京科技大学研究团队旨在开发一种新型接触方式，以解决二维半导体与金属界面接触性能不足的问题。结论：通过原子层键合技术，在MoS₂中移除顶层硫原子，使钼原子层与金属形成金属化相干键合界面，实现了超低接触电阻和高温稳定性，接触电阻低至70欧姆·微米，在400°C下保持稳定，最大导通电流达每微米1.1毫安，全面超越现有工业硅技术指标，为二维半导体在工业集成中的应用提供了可行方案。