名古屋大学全球首次成功实现无卤素氧化铪的各向异性原子层刻蚀
计算材料学
2025-11-20 17:10
文章摘要
本研究背景是半导体器件高集成化需求推动电路图案微细化发展，其中氧化铪作为铁电存储器和栅极绝缘膜的关键材料面临刻蚀难题。研究目的是开发无卤素的等离子体工艺，实现氧化铪在室温下的各向异性原子层刻蚀。通过交替使用氮等离子体和氧等离子体照射，形成挥发性反应产物并控制离子能量，最终成功实现低损伤刻蚀且降低表面粗糙度，结论表明该方法为新一代半导体制造提供了环保实用的技术突破，具有重要里程碑意义。
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