拓扑电子材料LaSbTe | Nature Materials

本文研究了拓扑电子材料LaSbTe中拓扑态的可控调控。背景方面，拓扑材料在过去二十年中已被广泛发现，但在单一材料中实现拓扑行为的有意调控仍具挑战。研究目的旨在通过化学置换和电子掺杂方法，在LaSbₓTe₂₋ₓ材料中实验控制拓扑节环，实现拓扑态的可逆切换。具体通过调节锑含量或表面钾沉积，改变电子浓度，诱导结构相变和n滑移对称性破缺，从而在节点环中打开或关闭能隙。结论表明，角分辨光电发射光谱和DFT计算证实了从无能隙到有能隙拓扑态的可逆转变，电子浓度是控制拓扑相变的关键参数，这为通过静电选通调控拓扑相提供了可能性。