理化所李江涛&清华董岩皓: 同步合成纳米SiC+高纯Si₃N₄陶瓷粉体新策略

本文背景针对高性能Si基陶瓷粉体在半导体和高温工程领域的需求，传统合成方法存在SiC纳米化难、Si3N4高纯化难及能量调控问题。研究目的通过耦合Si-C弱放热与Si-N2强放热反应，利用化学炉设计实现能量互补和气氛调控，以同步合成纳米SiC与低氧Si3N4粉体。结论表明该方法成功制备出平均粒径30 nm的分散性良好SiC和氧含量仅0.46 wt%的粉色Si3N4，残留硅显著降低，为Si基陶瓷低碳合成提供了新路径。