发光学报·特邀综述 | 中国科学院半导体所魏同波团队：六方氮化硼的外延生长与器件应用

本文系统综述了六方氮化硼（h-BN）的外延生长与器件应用。背景方面，h-BN作为宽禁带二维层状材料，具有原子级平整表面、高机械稳定性和优异热导率，在光电子学和量子光学领域展现出巨大潜力。研究目的方面，团队详细阐述了h-BN的CVD、MBE等外延生长技术，重点分析了在过渡金属和介质衬底上的生长机制与优化策略，并系统介绍了其在转移介质、FET栅介质、深紫外光电器件、单光子源和中子探测等多领域的应用进展。结论表明，h-BN虽在材料制备和器件性能方面仍面临挑战，但通过材料优化与缺陷工程的跨学科突破，有望推动其在电子和光电子领域的广泛应用。