南京大学余林蔚教授团队ACS Nano：面向三维集成应用实现高均匀性三维堆叠硅纳米线阵列的生长
纳米人
2025-11-10 18:25
文章摘要
本文针对三维集成架构中催化生长硅纳米线存在直径均匀性和空间排列控制难题，提出嵌入式前驱体供给策略。研究团队通过氮氧叠层三维侧壁沟槽结构，实现了直径20±2纳米、生长率超90%的超均匀三维堆叠硅纳米线阵列。基于该技术制备的晶体管表现出高达10^8的开关比和160mV/dec的亚阈值摆幅，为单片三维集成和传感器应用提供了可靠解决方案。
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