华中科技大学/伍伦贡大学/佛罗里达州立大学Adv. Sci.: 插层V2Se2O双层实现亚铁磁-铁弹多铁性与反常和自旋输运特性

背景：交错磁体作为新兴磁性材料因具有非相对论性、动量依赖的自旋劈裂和全补偿净磁矩特性而受到关注，但其自旋劈裂通常局限于动量空间高对称点，限制了实际应用。研究目的：通过锂和钒插层策略调控双层V2Se2O的磁性、电子结构和输运性质，探索插层诱导的多铁性及自旋电子学性能。结论：插层使材料从交错磁单铁性转变为层内亚铁磁与层间铁磁耦合，并诱发铁弹性；锂插层体系磁临界温度达358K，钒插层达773K；实现了金属化与半金属性调控，器件表现出877%巨磁阻、12000%热隧穿磁阻和近100%自旋过滤效率，为多铁与自旋电子器件集成提供新方案。