(纯计算)东南大学董帅/王珊珊团队Adv. Funct. Mater.: 基于羟基化MBene单层设计的大自旋分裂交错磁体

本研究针对二维交错磁体因弱范德华相互作用导致的自旋分裂效应微弱问题，提出基于羟基化MBene单层设计新型交错磁体。通过自旋群对称性分析和第一性原理计算，团队开发了羟基旋转策略，在α60-Mn2B2(OH)2单层中实现了1130 meV的大自旋分裂，并发现该体系具有节线半金属特性。研究表明羟基旋转角度可作为序参量调控磁性与铁弹性耦合，同时获得了1019 Ω−1 m−1 s−1的自旋极化电导率。这项工作为设计大自旋分裂的交错磁体提供了新思路，有望推动自旋电子学器件的发展。