南非大学：钆掺杂-硅二极管 | Transactions of Materials Research

本研究背景为探索稀土元素钆掺杂对硅二极管电学特性的影响。研究目的是通过电流-电压和电容-电压测试，分析未掺杂与钆掺杂n-硅二极管的导电行为变化。实验结果表明：未掺杂二极管呈现从空间电荷限制电流到阱电荷限制电流最终转为热电发射的传导机制转变；而钆掺杂二极管因缺陷诱导始终表现欧姆导电行为。结论证实钆掺杂通过引入缺陷能级，增加供体密度并改变传导路径，既限制正向传导又增强反向泄漏，为优化极端环境下的硅基探测器性能提供了理论依据。