西安电子科技大学周益春团队：攻克后端工艺低温退火的铁电相结晶难题 | Acta Materialia

背景：随着人工智能和物联网技术的发展，对高容量、高可靠性非易失性存储器的需求日益增长，铪基铁电存储器因其优异特性成为研究热点。研究目的：针对铪基铁电薄膜需要高温退火（>500℃）与后端集成工艺低温要求（<400℃）之间的矛盾，探索低温诱导铁电相结晶的方法。结论：通过HZO-ZrO2多层薄膜结构设计，调控临界晶核界面能和体能，实现预成核机制，将结晶温度降至300℃，同时保持优异铁电极化性能（2Pr>40 μC/cm2）和高耐久性，解决了材料低温处理与高性能难以兼顾的难题。