"原子制造" 铁电畴壁

本文围绕铁电畴壁的原子制造展开讨论。背景方面，铁电材料因其晶格效应具有强各向异性，畴壁可达亚纳米尺度，被视为原子制造的可能单元。研究目的旨在探索铁电畴壁的确定性构筑与规模化制造，以解决传统自上而下和自下而上方法在精度与规模间的矛盾。作者团队提出“纳米掩模”策略，利用SrRuO3底电极的界面静电边界诱导BiFeO3薄膜形成180°畴壁阵列，通过相场模拟和实验验证了该方法的可行性。结论表明，这一方法融合了自上而下的可控性与自下而上的规模化潜力，为铁电畴壁在下一代电子器件中的应用提供了新路径，有望推动原子制造技术的发展。