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福建师范大学张健敏教授团队Nano Lett.：二维交错磁体中实现角电子学的自旋选择性二阶拓扑绝缘体

计算材料学 2025-10-25 08:35

文章摘要

本文研究背景为交错磁体系中的自旋调控与高阶拓扑态关联问题。研究目的是探索二维交错磁体中自旋选择性二阶拓扑绝缘体的形成机制及其在角电子学中的应用。通过紧束缚模型与第一性原理计算，在CrO和Cr2Se2O材料中发现单轴应变诱导的镜面对称性破缺会产生自旋分辨角态，形成自旋-角点锁定机制。研究结论表明：体系在应变下可经历从二阶拓扑相到量子反常霍尔绝缘体的拓扑相变，并预测CrO在特定条件下可演化为交错磁Weyl半金属相，这为拓扑自旋电子学与角点电子学的融合提供了理论基础。

福建师范大学张健敏教授团队Nano Lett.：二维交错磁体中实现角电子学的自旋选择性二阶拓扑绝缘体

查看文献： Spin-Selective Second-Order Topological Insulators Enabling Cornertronics in Two-Dimensional Altermagnets.
查看期刊： Nano Letters

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