(纯计算)北京理工大学冯万祥团队Phys. Rev. B: 自旋-层耦合诱导二维交错磁体中的层霍尔效应和层自旋霍尔效应
计算材料学
2025-10-23 08:23
文章摘要
本文研究了二维交错磁体中的层霍尔效应和层自旋霍尔效应。背景方面，传统铁磁体和反铁磁体在自旋电子器件应用中存在局限性，而交错磁体结合了二者的优势。研究目的为探索二维单层交错磁体中的新型电荷和自旋输运特性。通过群论分析和第一性原理计算，以Ca(CoN)2为例，发现自旋-层耦合导致反常霍尔电导率消失但自旋霍尔电导率保持，并表现出明显的层依赖行为。结论表明这些效应源于自旋-层耦合控制的Berry曲率，为交错磁自旋电子学和层电子学发展提供了新见解。
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