二维硒化铟晶圆：未来半导体新材料

本文首先回顾了硅基半导体在纳米尺度面临短沟道效应、量子隧穿等物理极限，指出二维半导体材料的发展必要性。研究团队针对二维硒化铟材料生长中存在的化学计量控制难题，创新性提出固—液—固界面生长策略，通过"蒸笼"装置实现晶圆级高结晶性InSe薄膜的可控制备。实验结果表明，该方法制备的场效应晶体管迁移率达287 cm²/V·s，亚阈值摆幅67 mV/Dec，多项性能指标超越硅基3纳米技术节点，证明了二维硒化铟在后摩尔时代半导体器件的应用潜力。