(纯计算)南京理工大学阚二军/杜永平团队Nano Lett.: 交错磁体中对称性破缺的磁光效应
计算材料学
2025-10-08 17:58
文章摘要
本文聚焦于交错磁性材料中对称性破缺诱导的磁光效应研究。背景方面,交错磁性作为新兴磁序体系,兼具共线自旋排列与零净磁化特性,其自旋分裂现象为自旋电子学提供了新平台,但实验验证仍面临挑战。研究目的旨在通过应变工程调控对称性,开发区分交错磁体与传统反铁磁体的表征方法。结论表明,单轴应变可选择性破坏旋转/镜像对称性而保持PT对称性,从而激活交错磁体特有的磁光响应;第一性原理计算证实应变诱导的光吸收和克尔旋转在V2Se2O单层与CrSb块体中均具可观测性,为自旋技术研究提供了无创检测方案。
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