研究前沿：二维材料界面工程：高介电材料ZrO₂/MoS₂ | Nature Electronics

背景：二维过渡金属硫族化合物半导体具有理想的晶体管沟道技术属性，但需要与工业兼容的高介电栅极电介质集成。研究目的：探索氧化锆（ZrO₂）与二维二硫化钼（MoS₂）形成清洁界面的可行性，并评估其在场效应晶体管中的应用性能。结论：研究发现ZrO₂与MoS₂形成无缺陷的范德华界面，显著提升晶体管性能，包括稳定的阈值电压、低亚阈值摆幅和高导通电流，为下一代纳米电子器件发展提供了新路径。