基于s-d区高熵合金反向调节碳层界面电子密度提升锂硫电池性能

本文针对锂硫电池存在的多硫化物转化动力学慢和穿梭效应等问题展开研究。背景显示碳材料作为硫正极载体存在与多硫化物作用弱的问题。研究目的是通过s-d区高熵合金反向调节碳层界面电子密度来提升电池性能。采用熔融盐法合成CoNiCuMnMg@C载体材料，通过DFT计算和实验验证发现高熵合金能促使电子向碳界面转移，使碳表面呈现富电子状态，d带中心上移增强了电子传输能力。结论表明该策略使电池在0.1C下实现1640.7mAh/g的高初始容量，碳层成为多硫化锂氧化还原反应主要场所，为设计高效碳基催化剂提供了新路径。