硅量子芯片，Nature！
研之成理
2025-09-30 20:00
文章摘要
本文研究背景为硅基自旋量子比特与半导体工艺兼容性及可扩展性优势，但工业制造中的界面缺陷和噪声问题制约其性能稳定性。研究目的是在300毫米工业产线上制备双量子比特单元，系统评估其单比特与双比特门操作性能。结论表明所有器件单双比特门保真度均超99%，状态制备与测量保真度最高达99.9%，通过门集层析识别核自旋噪声为主要误差源，证明工业CMOS工艺具备制备高性能量子比特的潜力，为量子处理器规模化集成奠定基础。
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