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“串联拓扑反应”颠覆传统：低温合成无反位缺陷高镍层状正极

能源学人 2025-09-27 12:02
文章摘要
本文背景为锂离子电池对高能量密度和低成本的需求日益增长，高镍层状氧化物正极材料虽具高容量优势，但传统高温合成方法存在能耗高、结构缺陷等问题。研究目的是开发一种低温合成方法，通过"拓扑去质子化-拓扑锂化"两步串联反应，在150℃条件下制备无反位缺陷的高镍正极材料。结论表明该方法成功将反位缺陷率从4.2%降至0.7%，能耗降低74%，材料展现出优异循环稳定性，为绿色电池制造提供了新思路。
“串联拓扑反应”颠覆传统：低温合成无反位缺陷高镍层状正极
查看文献： Tandem Topotactic Reactions for Low-Temperature Synthesis of Ni-Rich Layered Oxide Cathodes without Anti-site Defect
查看期刊： Journal of the American Chemical Society
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