西安电子科大周益春团队《Acta Materialia》：在HfO₂基铁电薄膜各向异性的畴壁动力学方面取得重要进展
材料科学与工程
2025-09-24 20:39
文章摘要
背景：随着人工智能等新一代信息技术发展，传统存储器难以满足海量数据处理需求，HfO₂基铁电薄膜因与CMOS工艺兼容且能在纳米尺度保持铁电性，成为新型存储器研究热点。研究目的：针对HfO₂基铁电体中软硬畴壁共存导致的各向异性行为，通过相场模拟揭示畴壁动力学机制。结论：研究发现软畴壁迁移能垒比硬畴壁低一个数量级，导致其迁移速度更快、临界电场更低；180°极化翻转是以成核为主导的过程，受硬畴壁约束，该成果为畴壁工程和高性能铁电存储器设计提供理论支撑。
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