新进展：碳化硅纳米线阵列微腔多模皮秒光发射 | Adv. Photon. Nexus

背景：碳化硅作为第三代宽禁带半导体，在高温电子器件和光子集成领域具有重要应用价值，但纳米线制备与集成仍面临挑战。研究目的：东南大学课题组通过调控阳极氧化参数，制备森林状4H/6H-SiC纳米线阵列，研究其微腔结构与光发射特性。结论：该结构实现多腔模宽光谱发射，光致发光寿命从1.67 ns缩短至20 ps，展现出腔量子电动力学研究潜力及光子器件集成应用前景。