阪大等全球首次观测到室温下通过半导体pn结合的自旋传导，为抑制电力增长开辟道路

背景：随着AI技术普及，数据中心电力消耗激增，亟需开发低功耗非易失性自旋电子器件。研究目的：针对常规半导体器件存在pn结合的特性，研究团队旨在实现含pn结合结构中室温自旋传导的观测。结论：通过将隧穿FET技术应用于自旋电子器件，联合研究团队全球首次在Ge半导体与强磁性赫斯勒合金接合结构中成功观测到通过pn结带间隧穿传导的室温自旋传导，为自旋TFET器件开发奠定基础。