氮化物你凑什么铁电的热闹

本文从铁电材料的历史发展出发，探讨了传统铁电氧化物（如钙钛矿氧化物）的主导地位及其面临的挑战，包括与硅基半导体集成困难、制备条件苛刻和带隙过大等问题。研究目的旨在分析氮化物作为新兴铁电材料的潜力，通过电负性差（ΔEne）理论论证氮化物（如AlN、CeTaN3）在极性共价键区域的优势，如更小的带隙（~1.0-2.0 eV）、更高的键能和更好的半导体兼容性。结论指出，氮化物铁电材料（如郭尔佳团队研究的钙钛矿CeTaN3）在降低矫顽场、实现多轴极化翻转方面展现出应用前景，但仍需克服制备和缺陷控制等挑战，未来可能推动铁电存储和光电器件发展。