【光电器件】AM:基于二维半导体材料双异质结发光器件创量子效率记录
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2025-09-11 09:00
文章摘要
背景:二维半导体材料电致发光器件面临载流子注入困难与迁移率低、缺乏载流子限制导致漏电流两大挑战。研究目的:通过构建双异质结结构,同时解决载流子注入与限制问题,提升器件性能。结论:团队基于单层MoTe2和多层WSe2成功实现双异质结,创下过渡金属硫族化合物PN结室温1%的外量子效率纪录,电致发光强度达同质结40倍,为高效片上集成光源奠定基础。
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