原子尺度晶格畸变诱导强拓扑霍尔效应

本研究背景聚焦于拓扑自旋构型在新一代自旋电子器件中的应用潜力，特别是拓扑霍尔效应作为识别磁拓扑态的关键指标。研究目的是通过设计具有可控氧八面体畸变的超晶格结构薄膜，探索原子尺度晶格调控对磁交换作用和DMI的调节机制。结论表明，在压缩应变条件下调控层间厚度（2-5单胞）可实现稳定强拓扑霍尔效应，揭示了晶格畸变与拓扑输运的关联，为非手性磁体中拓扑磁结构的可控构筑及低功耗磁存储器件开发提供了新路径。